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场效应管（也称为MOS管或MOSFET）是一种常用的半导体器件，广泛应用于各种电路系统中。它的主要特点是具有高的开关速度、低的导通电阻和较高的耐压能力。场效应管的接法主要分为两种。增强型（通常表示为常开状态）和耗尽型（通常表示为常闭状态）。在电路中，场效应管的接法决定了其在电路中的功能。
1、源极跟随器接法（Source Follower Configuration）：这是场效应管最常见的接法之一，在此接法中，场效应管的源极作为输出，漏极连接电源，栅极接收输入信号，这种接法的输出阻抗较高，电压放大倍数接近1，主要用于缓冲电路和阻抗匹配电路。
2、共源极放大电路（Common Source Amplifier Configuration）：在这种接法中，场效应管的源极接地，栅极接收输入信号，漏极作为输出，这是场效应管作为放大器的主要接法之一。
至于场效应管的接线图，由于文字描述的限制，我无法直接提供图片，但您可以在电子元件数据库、电路设计软件或相关的技术文档中查找到场效应管的接线图。
举例说明：
假设我们有一个简单的放大电路，使用场效应管作为放大器，在此电路中，场效应管采用共源极放大电路接法，输入信号通过栅极进入场效应管，经过放大后从漏极输出，源极接地，漏极连接电源以提供必要的偏置电压，可能还需要其他的电路元件，如电阻和电容，以提供合适的偏置和调整放大器的性能。
具体的接线方式和电路布局取决于您的应用需求和电路设计，如果您有更具体的需求或问题，可以提供更详细的信息，我会尽力提供帮助。